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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/andp.201100034
Web of Science
Zitationen: 10

Electron-electron interactions and the metal-insulator transition in heavily doped silicon

Löhneysen, H.von



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Festkörperphysik (IFP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2011
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110084516
HGF-Programm 43.11.01 (POF II, LK 01)
Erschienen in Annalen der Physik
Band 523
Seiten 599-611
Nachgewiesen in Web of Science
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