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Electron-electron interactions and the metal-insulator transition in heavily doped silicon

Löhneysen, H. von 1
1 Physikalisches Institut (PHI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/andp.201100034
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Zitationen: 19
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Zitationen: 21
Dimensions
Zitationen: 20
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Festkörperphysik (IFP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2011
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110084516
HGF-Programm 43.11.01 (POF II, LK 01) Condensed matter
Erschienen in Annalen der Physik
Band 523
Seiten 599-611
Nachgewiesen in Dimensions
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