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Shot noise and conductivity at high bias in bilayer graphene: signatures of electron-optical phonon coupling

Fay, A.; Danneau, R. 1,2; Viljas, J. K.; Wu, F. 1,2; Tomi, M. Y.; Wengler, J.; Wiesner, M.; Hakonen, P. J.
1 Physikalisches Institut (PHI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Verlagsausgabe §
DOI: 10.5445/IR/110085390
Veröffentlicht am 10.01.2022
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevB.84.245427
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Zitationen: 17
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsdatum 14.12.2011
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0163-1829, 0556-2805, 1095-3795, 1098-0121, 1538-4489, 1550-235X, 2469-9950, 2469-9969, 2469-9977
KITopen-ID: 110085390
HGF-Programm 43.11.02 (POF II, LK 01) Electronic transport in nanostructures
Erschienen in Physical review / B
Verlag American Physical Society (APS)
Band 84
Seiten Art.Nr. 245427
Nachgewiesen in Dimensions
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