Growth of non-polar GaN on LiGaO₂ by plasma-assisted MBE

Schuber, R.; Chen, Y. L.; Shih, C. H.; Huang, T. H.; Vincze, P.; Lo, I.; Chang, L. W.; Schimmel, Th.; Chou, M. M. C.; Schaadt, D. M.

doi:10.1016/j.jcrysgro.2010.10.118

Growth of non-polar GaN on LiGaO₂ by plasma-assisted MBE

Schuber, R. ¹^,2; Chen, Y. L.; Shih, C. H.; Huang, T. H.; Vincze, P. ³; Lo, I. ³; Chang, L. W.; Schimmel, Th. ¹^,3; Chou, M. M. C.; Schaadt, D. M. ¹^,2
¹ Institut für Angewandte Physik (APH), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
² Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
³ Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.10.118

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2011
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 110085424
HGF-Programm	43.11.03 (POF II, LK 01) Molecular building blocks
Erschienen in	Journal of Crystal Growth
Band	323
Seiten	76-79
Nachgewiesen in	Dimensions Scopus Web of Science

Repository KITopen

Growth of non-polar GaN on LiGaO₂ by plasma-assisted MBE