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Inkjet printed, high mobility inorganic-oxide field effect transistors processed at room temperature

Dasgupta, S.; Kruk, R.; Mechau, N.; Hahn, H.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1021/nn202992v
Scopus
Zitationen: 78
Web of Science
Zitationen: 77
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2011
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110085735
HGF-Programm 43.12.02 (POF II, LK 01)
Erschienen in ACS Nano
Band 5
Seiten 9628-9638
Nachgewiesen in Scopus
Web of Science
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