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Potential distribution in channel of thin-film transistors

Okamura, K.; Hahn, H.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.4733290
Scopus
Zitationen: 2
Web of Science
Zitationen: 2
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2012
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0003-6951, 1077-3118
KITopen-ID: 110087537
HGF-Programm 43.12.02 (POF II, LK 01)
Erschienen in Applied physics letters
Band 101
Seiten 013504/1-5
Nachgewiesen in Web of Science
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