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Potential distribution in channel of thin-film transistors

Okamura, K. 1; Hahn, H. 1
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.4733290
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Zitationen: 2
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Zitationen: 2
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2012
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0003-6951, 1077-3118
KITopen-ID: 110087537
HGF-Programm 43.12.02 (POF II, LK 01) Tuneable properties of nanomaterials
Erschienen in Applied physics letters
Verlag American Institute of Physics (AIP)
Band 101
Seiten 013504/1-5
Nachgewiesen in Dimensions
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