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Solution-processed oxide semiconductor SnO in p-channel thin-film transistors

Okamura, K. 1; Nasr, B. 1; Brand, R. A. 1; Hahn, H. 1
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1039/C2JM16426D
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Zitationen: 92
Web of Science
Zitationen: 91
Dimensions
Zitationen: 94
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2012
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110087561
HGF-Programm 43.12.02 (POF II, LK 01) Tuneable properties of nanomaterials
Erschienen in Journal of Materials Chemistry
Band 22
Seiten 4607-4610
Nachgewiesen in Scopus
Dimensions
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