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Solution-processed oxide semiconductor SnO in p-channel thin-film transistors

Okamura, K.; Nasr, B.; Brand, R.A.; Hahn, H.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1039/C2JM16426D
Scopus
Zitationen: 68
Web of Science
Zitationen: 68
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2012
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110087561
HGF-Programm 43.12.02 (POF II, LK 01)
Erschienen in Journal of Materials Chemistry
Band 22
Seiten 4607-4610
Nachgewiesen in Web of Science
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