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Silicon nanocrystals prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition: importance of parasitic oxidation for third generation photovoltaic applications

Hartel, A.M.; Gutsch, S.; Hiller, D.; Kübel, C.; Zakharov, N.; Werner, P.; Zacharias, M.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.4766284
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Zitationen: 10
Web of Science
Zitationen: 10
Seitenaufrufe: 9
seit 28.04.2018
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2012
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110089346
HGF-Programm 43.16.02 (POF II, LK 02)
Erschienen in Applied Physics Letters
Band 101
Seiten 193103/1-4
Nachgewiesen in Web of Science
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