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Silicon nanocrystals prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition: importance of parasitic oxidation for third generation photovoltaic applications

Hartel, A. M.; Gutsch, S.; Hiller, D.; Kübel, C. ORCID iD icon 1; Zakharov, N.; Werner, P.; Zacharias, M.
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.4766284
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Zitationen: 12
Web of Science
Zitationen: 13
Dimensions
Zitationen: 11
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2012
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110089346
HGF-Programm 43.16.02 (POF II, LK 02) KNMF laboratory for microscopy a.spect.
Erschienen in Applied Physics Letters
Band 101
Seiten 193103/1-4
Nachgewiesen in Dimensions
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