KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

Silicon nanocrystals prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition: importance of parasitic oxidation for third generation photovoltaic applications

Hartel, A.M.; Gutsch, S.; Hiller, D.; Kübel, C.; Zakharov, N.; Werner, P.; Zacharias, M.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.4766284
Scopus
Zitationen: 10
Web of Science
Zitationen: 11
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2012
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110089346
HGF-Programm 43.16.02 (POF II, LK 02)
KNMF laboratory for microscopy a.spect.
Erschienen in Applied Physics Letters
Band 101
Seiten 193103/1-4
Nachgewiesen in Scopus
Web of Science
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page