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Comparison of the stress distribution and fatigue behavior of 10- and 25-μm thick deep-reactive-ion-etched Si kilohertz resonators

Straub, T. 1; Theillet, P. O.; Eberl, C. 1; Pierron, O. N.
1 Institut für Angewandte Materialien (IAM), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/JMEMS.2012.2226933
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Zitationen: 8
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Zitationen: 6
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Zitationen: 8
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien - Werkstoff- und Biomechanik (IAM-WBM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2013
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110094475
HGF-Programm 34.04.04 (POF II, LK 01) Anwendungen für neue Prozesse u.Produkte
Erschienen in Journal of Microelectromechanical Systems
Band 22
Seiten 418-429
Nachgewiesen in Web of Science
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