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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/pssc.201300527
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Zitationen: 21

Improvements of MOVPE grown (11 2 2) oriented GaN on pre-structured sapphire substrates using a SiNx interlayer and HVPE overgrowth

Caliebe, M.; Meisch, T.; Neuschl, B.; Bauer, S.; Helbing, J.; Beck, D.; Thonke, K.; Klein, M.; Heinz, D.; Scholz, F.



Zugehörige Institution(en) am KIT ANKA - die Synchrotronstrahlungsquelle am KIT (ANKA)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2014
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1610-1634, 1610-1642, 1862-6351
KITopen ID: 110099250
HGF-Programm 55.51.10; LK 02
Erschienen in Physica status solidi / C
Band 11
Seiten 525-529
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