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Dislocation dynamics and slip band formation in silicon: In-situ study by X-ray diffraction imaging

Danilewsky, A.N.; Wittge, J.; Croell, A.; Allen, D.; McNally, P.; Vagovic, P.; dos Santos Rolo, T.; Li, Z.; Baumbach, T.; Gorostegui-Colinas, E.; Garagorri, J.; Elizalde, M.R.; Fossati, M.C.; Bowen, D.K.; Tanner, B.K.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2011
Sprache Englisch
Identifikator DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.10.199
KITopen ID: 110100621
HGF-Programm 55.51.10; LK 02
Erschienen in Journal of Crystal Growth
Band 318
Seiten 1157-1163
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