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Dislocation dynamics and slip band formation in silicon: In-situ study by X-ray diffraction imaging

Danilewsky, A. N.; Wittge, J.; Croell, A.; Allen, D.; McNally, P.; Vagovic, P. 1; Santos Rolo, T. dos; Li, Z. 1; Baumbach, T. 1; Gorostegui-Colinas, E.; Garagorri, J.; Elizalde, M. R.; Fossati, M. C.; Bowen, D. K.; Tanner, B. K.
1 Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.10.199
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Zitationen: 25
Web of Science
Zitationen: 22
Dimensions
Zitationen: 27
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2011
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110100621
HGF-Programm 55.51.10 (POF II, LK 02) Betrieb und Entw.d.ANKA Beaml.u.Nutzers.
Erschienen in Journal of Crystal Growth
Band 318
Seiten 1157-1163
Nachgewiesen in Web of Science
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Dimensions
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