Dislocation dynamics and slip band formation in silicon: In-situ study by X-ray diffraction imaging

Danilewsky, A. N.; Wittge, J.; Croell, A.; Allen, D.; McNally, P.; Vagovic, P.; Santos Rolo, T. dos; Li, Z.; Baumbach, T.; Gorostegui-Colinas, E.; Garagorri, J.; Elizalde, M. R.; Fossati, M. C.; Bowen, D. K.; Tanner, B. K.

doi:10.1016/j.jcrysgro.2010.10.199

Dislocation dynamics and slip band formation in silicon: In-situ study by X-ray diffraction imaging

Danilewsky, A. N.; Wittge, J.; Croell, A.; Allen, D.; McNally, P.; Vagovic, P. ¹; Santos Rolo, T. dos; Li, Z. ¹; Baumbach, T. ¹; Gorostegui-Colinas, E.; Garagorri, J.; Elizalde, M. R.; Fossati, M. C.; Bowen, D. K.; Tanner, B. K.
¹ Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.10.199

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2011
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 110100621
HGF-Programm	55.51.10 (POF II, LK 02) Betrieb und Entw.d.ANKA Beaml.u.Nutzers.
Erschienen in	Journal of Crystal Growth
Band	318
Seiten	1157-1163
Nachgewiesen in	Dimensions Web of Science Scopus

Repository KITopen

Dislocation dynamics and slip band formation in silicon: In-situ study by X-ray diffraction imaging