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Epitaxial lateral overgrowth in the system Si/SiOₓ/Si: The influence of residual oxygen at the interface

Hanke, M.; Köhler, R.; Schäfer, P.; Lübbert, D.; Häusler, I.; Neumann, W.; Modregger, P.; Boeck, T.; Baumbach, T. 1
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevB.83.125312
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Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2011
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110100629
HGF-Programm 55.51.10 (POF II, LK 02) Betrieb und Entw.d.ANKA Beaml.u.Nutzers.
Erschienen in Physical Review B
Band 83
Seiten 125312/1-8
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