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Epitaxial lateral overgrowth in the system Si/SiOₓ/Si: The influence of residual oxygen at the interface

Hanke, M.; Köhler, R.; Schäfer, P.; Lübbert, D.; Häusler, I.; Neumann, W.; Modregger, P.; Boeck, T.; Baumbach, T.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2011
Sprache Englisch
Identifikator DOI: 10.1103/PhysRevB.83.125312
KITopen ID: 110100629
HGF-Programm 55.51.10; LK 02
Erschienen in Physical Review B
Band 83
Seiten 125312/1-8
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