Epitaxial lateral overgrowth in the system Si/SiOₓ/Si: The influence of residual oxygen at the interface
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Synchrotronstrahlung (ISS) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2011 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 110100629 |
| HGF-Programm | 55.51.10 (POF II, LK 02) Betrieb und Entw.d.ANKA Beaml.u.Nutzers. |
| Erschienen in | Physical Review B |
| Band | 83 |
| Seiten | 125312/1-8 |
| Nachgewiesen in | Scopus Dimensions Web of Science |