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Lattice tilt, concentration, and relaxation degree of partly relaxed InGaAs/GaAs structures

Benediktovitch, A.; Rinaldi, F.; Menzel, S.; Saito, K.; Ulyanenkova, T. 1; Baumbach, T. 1; Feranchuk, I. D.; Ulyanenkov, A.
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/pssa.201184251
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Zitationen: 8
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Zitationen: 6
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Zitationen: 6
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2011
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0031-8965, 1521-396X, 1862-6300, 1862-6319
KITopen-ID: 110100640
HGF-Programm 55.52.10 (POF II, LK 01) Micro and Nano Science and Technology
Erschienen in Physica status solidi / A
Verlag John Wiley and Sons
Band 208
Heft 11
Seiten 2539-2543
Nachgewiesen in Scopus
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