Real-time X-ray diffraction imaging for semiconductor wafer metrology and high temperature in situ experiments

Danilewsky, A. N.; Wittge, J.; Hess, A.; Cröll, A.; Rack, A.; Allen, D.; McNally, P.; Santos Rolo, T. dos; Vagovic, P.; Baumbach, T.; Garagorri, J.; Elizalde, M. R.; Tanner, B. K.

doi:10.1002/pssa.201184264

Real-time X-ray diffraction imaging for semiconductor wafer metrology and high temperature in situ experiments

Danilewsky, A. N.; Wittge, J.; Hess, A.; Cröll, A.; Rack, A.; Allen, D.; McNally, P.; Santos Rolo, T. dos; Vagovic, P. ¹; Baumbach, T. ¹; Garagorri, J.; Elizalde, M. R.; Tanner, B. K.
¹ Institut für Synchrotronstrahlung (ISS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1002/pssa.201184264

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2011
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0031-8965, 1521-396X, 1862-6300, 1862-6319 KITopen-ID: 110100643
HGF-Programm	55.51.10 (POF II, LK 02) Betrieb und Entw.d.ANKA Beaml.u.Nutzers.
Erschienen in	Physica status solidi / A
Verlag	John Wiley and Sons
Band	208
Seiten	2499-2504
Nachgewiesen in	OpenAlex Scopus Web of Science Dimensions

Repository KITopen

Real-time X-ray diffraction imaging for semiconductor wafer metrology and high temperature in situ experiments