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[V@Ge$_8$As$_4$]$^{3-}$ and [Nb@Ge$_8$As$_6$]$^{3-}$: Encapsulation of electron-poor transition metal atoms

Mitzinger, S.; Broeckaert, L. 1; Massa, W.; Weigend, F. 1,2; Dehnen, S.
1 Institut für Physikalische Chemie (IPC), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1039/c4cc10086g
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Zitationen: 34
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Zitationen: 36
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Institut für Physikalische Chemie (IPC)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2015
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0009-241X, 0022-4936, 1359-7345, 1364-548X, 2050-5620, 2050-5639
KITopen-ID: 110101168
HGF-Programm 43.21.04 (POF III, LK 01) Molecular Engineering
Erschienen in Chemical communications
Verlag Royal Society of Chemistry (RSC)
Band 51
Heft 18
Seiten 3866-3869
Nachgewiesen in Scopus
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