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[V@ Ge₈As₄]³⁻ and [Nb@ Ge₈As₆]³⁻: encapsulation of electron-poor transition metal atoms

Mitzinger, S.; Broeckaert, L.; Massa, W.; Weigend, F.; Dehnen, S.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2015
Sprache Englisch
Identifikator DOI: 10.1039/c4cc10086g
KITopen ID: 110101168
HGF-Programm 43.21.04; LK 01
Erschienen in Chemical Communications
Band 51
Seiten 3866-3869
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