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Photoinduced charge-carrier generation in epitaxial MOF thin films: High efficiency as a result of an indirect electronic band gap?

Liu, J.; Zhou, W.; Liu, J.; Howard, I.; Kilibarda, G.; Schlabach, S.; Coupry, D.; Addicoat, M.; Yoneda, S.; Tsutsui, Y.; Sakurai, T.; Seki, S.; Wang, Z.; Lindemann, P.; Redel, E.; Heine, T.; Wöll, C.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/anie.201501862
Scopus
Zitationen: 150
Web of Science
Zitationen: 144
Dimensions
Zitationen: 136
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien - Werkstoffkunde (IAM-WK)
Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG)
Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2015
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0044-8249, 0570-0833, 1433-7851, 1521-3757, 1521-3773
KITopen-ID: 110102396
HGF-Programm 34.13.01 (POF III, LK 01) Material f.therm.,mechan.u.Umweltbelast.
Erschienen in Angewandte Chemie / International edition
Verlag Wiley
Band 54
Heft 25
Seiten 7441-7445
Vorab online veröffentlicht am 08.05.2015
Nachgewiesen in Dimensions
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