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Photoinduced charge-carrier generation in epitaxial MOF thin films: High efficiency as a result of an indirect electronic band gap?

Liu, J. 1; Zhou, W. 1; Liu, J. 1; Howard, I. 2; Kilibarda, G. 3; Schlabach, S. 3; Coupry, D.; Addicoat, M.; Yoneda, S.; Tsutsui, Y.; Sakurai, T.; Seki, S.; Wang, Z. 1; Lindemann, P. 1; Redel, E. 1; Heine, T.; Wöll, C. 1
1 Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/anie.201501862
Scopus
Zitationen: 174
Web of Science
Zitationen: 168
Dimensions
Zitationen: 185
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG)
Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT)
Institut für Angewandte Materialien – Werkstoffkunde (IAM-WK)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2015
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0044-8249, 0570-0833, 1433-7851, 1521-3757, 1521-3773
KITopen-ID: 110102396
HGF-Programm 34.13.01 (POF III, LK 01) Material f.therm.,mechan.u.Umweltbelast.
Erschienen in Angewandte Chemie / International edition
Verlag John Wiley and Sons
Band 54
Heft 25
Seiten 7441-7445
Vorab online veröffentlicht am 08.05.2015
Nachgewiesen in Dimensions
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