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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevB.92.125440
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Zitationen: 4
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Zitationen: 5

Efficient gating of epitaxial boron nitride monolayers by substrate functionalization

Fedorov, A.; Praveen, C.S.; Verbitskiy, N.I.; Haberer, D.; Usachov, D.; Vyalikh, D.V.; Nefedov, A.; Wöll, C.; Petaccia, L.; Piccinin, S.; Sachdev, H.; Knupfer, M.; Büchner, B.; Fabris, S.; Grüneis, A.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2015
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0163-1829, 0556-2805, 1050-2947, 1094-1622, 1095-3795, 1098-0121, 1538-4489, 1550-235X, 2469-9950
KITopen ID: 110102496
HGF-Programm 43.11.03; LK 01
Erschienen in Physical review / B
Band 92
Heft 12
Seiten 125440/1-7
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