Efficient gating of epitaxial boron nitride monolayers by substrate functionalization

Fedorov, A.; Praveen, C. S.; Verbitskiy, N. I.; Haberer, D.; Usachov, D.; Vyalikh, D. V.; Nefedov, A.; Wöll, C.; Petaccia, L.; Piccinin, S.; Sachdev, H.; Knupfer, M.; Büchner, B.; Fabris, S.; Grüneis, A.

doi:10.1103/PhysRevB.92.125440

Efficient gating of epitaxial boron nitride monolayers by substrate functionalization

Fedorov, A.; Praveen, C. S.; Verbitskiy, N. I.; Haberer, D.; Usachov, D.; Vyalikh, D. V.; Nefedov, A. ¹; Wöll, C. ¹; Petaccia, L.; Piccinin, S.; Sachdev, H.; Knupfer, M.; Büchner, B.; Fabris, S.; Grüneis, A.
¹ Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1103/PhysRevB.92.125440

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2015
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0163-1829, 0556-2805, 1050-2947, 1094-1622, 1095-3795, 1098-0121, 1538-4489, 1550-235X, 2469-9950 KITopen-ID: 110102496
HGF-Programm	43.21.03 (POF III, LK 01) Carbon Nanosystems
Erschienen in	Physical review / B
Verlag	American Physical Society (APS)
Band	92
Heft	12
Seiten	125440/1-7
Nachgewiesen in	Scopus Dimensions Web of Science

Repository KITopen

Efficient gating of epitaxial boron nitride monolayers by substrate functionalization