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Efficient gating of epitaxial boron nitride monolayers by substrate functionalization

Fedorov, A.; Praveen, C. S.; Verbitskiy, N. I.; Haberer, D.; Usachov, D.; Vyalikh, D. V.; Nefedov, A. 1; Wöll, C. 1; Petaccia, L.; Piccinin, S.; Sachdev, H.; Knupfer, M.; Büchner, B.; Fabris, S.; Grüneis, A.
1 Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevB.92.125440
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Zitationen: 13
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2015
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0163-1829, 0556-2805, 1050-2947, 1094-1622, 1095-3795, 1098-0121, 1538-4489, 1550-235X, 2469-9950
KITopen-ID: 110102496
HGF-Programm 43.21.03 (POF III, LK 01) Carbon Nanosystems
Erschienen in Physical review / B
Verlag American Physical Society (APS)
Band 92
Heft 12
Seiten 125440/1-7
Nachgewiesen in Dimensions
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