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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1021/acs.langmuir.5b02316
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Zitationen: 6

Dipolar SAMs reduce charge carrier injection barriers in n-channel organic field effect transistors

Jesper, M.; Alt, M.; Schinke, J.; Hillebrandt, S.; Angelova, I.; Rohnacher, V.; Pucci, A.; Lemmer, U.; Jaegermann, W.; Kowalsky, W.; Glaser, T.; Mankel, E.; Lovrincic, R.; Golling, F.; Hamburger, M.; Bunz, U.H.F.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT)
Lichttechnisches Institut (LTI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2015
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0743-7463, 1520-5827
KITopen ID: 110102662
HGF-Programm 43.22.03; LK 01
Erschienen in Langmuir
Band 31
Heft 37
Seiten 10303-10309
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