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Dipolar SAMs reduce charge carrier injection barriers in n-channel organic field effect transistors

Jesper, M.; Alt, M. 1; Schinke, J.; Hillebrandt, S.; Angelova, I.; Rohnacher, V.; Pucci, A.; Lemmer, U. 1,2; Jaegermann, W.; Kowalsky, W.; Glaser, T.; Mankel, E.; Lovrincic, R.; Golling, F.; Hamburger, M.; Bunz, U. H. F.
1 Lichttechnisches Institut (LTI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1021/acs.langmuir.5b02316
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Zitationen: 16
Web of Science
Zitationen: 15
Dimensions
Zitationen: 16
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT)
Lichttechnisches Institut (LTI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2015
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0743-7463, 1520-5827
KITopen-ID: 110102662
HGF-Programm 43.22.03 (POF III, LK 01) Printed Materials and Systems
Erschienen in Langmuir
Verlag American Chemical Society (ACS)
Band 31
Heft 37
Seiten 10303-10309
Nachgewiesen in Dimensions
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