Dipolar SAMs reduce charge carrier injection barriers in n-channel organic field effect transistors

Jesper, M.; Alt, M.; Schinke, J.; Hillebrandt, S.; Angelova, I.; Rohnacher, V.; Pucci, A.; Lemmer, U.; Jaegermann, W.; Kowalsky, W.; Glaser, T.; Mankel, E.; Lovrincic, R.; Golling, F.; Hamburger, M.; Bunz, U. H. F.

doi:10.1021/acs.langmuir.5b02316

Dipolar SAMs reduce charge carrier injection barriers in n-channel organic field effect transistors

Jesper, M.; Alt, M. ¹; Schinke, J.; Hillebrandt, S.; Angelova, I.; Rohnacher, V.; Pucci, A.; Lemmer, U. ¹^,2; Jaegermann, W.; Kowalsky, W.; Glaser, T.; Mankel, E.; Lovrincic, R.; Golling, F.; Hamburger, M.; Bunz, U. H. F.
¹ Lichttechnisches Institut (LTI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
² Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1021/acs.langmuir.5b02316

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT) Lichttechnisches Institut (LTI)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2015
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0743-7463, 1520-5827 KITopen-ID: 110102662
HGF-Programm	43.22.03 (POF III, LK 01) Printed Materials and Systems
Erschienen in	Langmuir
Verlag	American Chemical Society (ACS)
Band	31
Heft	37
Seiten	10303-10309
Nachgewiesen in	Scopus Dimensions Web of Science

Repository KITopen

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