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Atomically precise semiconductor-graphene and hBN interfaces by Ge intercalation

Verbitskiy, N. I.; Fedorov, A. V.; Profeta, G.; Stroppa, A.; Petaccia, L.; Senkovskiy, B.; Nefedov, A. 1; Wöll, C. 1; Usachov, D. Yu.; Vyalikh, D. V.; Yashina, L. V.; Eliseev, A. A.; Pichler, T.; Grüneis, A.
1 Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Verlagsausgabe §
DOI: 10.5445/IR/110103597
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1038/srep17700
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Zitationen: 22
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Zitationen: 24
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Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2015
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2045-2322
urn:nbn:de:swb:90-AAA1101035979
KITopen-ID: 110103597
HGF-Programm 43.21.03 (POF III, LK 01) Carbon Nanosystems
Erschienen in Scientific reports
Verlag Nature Research
Band 5
Seiten 17700
Nachgewiesen in Scopus
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