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Verlagsausgabe
DOI: 10.5445/IR/110103597
Veröffentlicht am 16.03.2018
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1038/srep17700
Scopus
Zitationen: 6
Web of Science
Zitationen: 9

Atomically precise semiconductor-graphene and hBN interfaces by Ge intercalation

Verbitskiy, N.I.; Fedorov, A.V.; Profeta, G.; Stroppa, A.; Petaccia, L.; Senkovskiy, B.; Nefedov, A.; Wöll, C.; Usachov, D.Yu.; Vyalikh, D.V.; Yashina, L.V.; Eliseev, A.A.; Pichler, T.; Grüneis, A.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2015
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2045-2322
URN: urn:nbn:de:swb:90-AAA1101035979
KITopen ID: 110103597
HGF-Programm 43.11.03; LK 01
Erschienen in Scientific Reports
Band 5
Seiten 17700
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