Atomically precise semiconductor-graphene and hBN interfaces by Ge intercalation

Verbitskiy, N. I.; Fedorov, A. V.; Profeta, G.; Stroppa, A.; Petaccia, L.; Senkovskiy, B.; Nefedov, A.; Wöll, C.; Usachov, D. Yu.; Vyalikh, D. V.; Yashina, L. V.; Eliseev, A. A.; Pichler, T.; Grüneis, A.

doi:10.1038/srep17700

Atomically precise semiconductor-graphene and hBN interfaces by Ge intercalation

Verbitskiy, N. I.; Fedorov, A. V.; Profeta, G.; Stroppa, A.; Petaccia, L.; Senkovskiy, B.; Nefedov, A. ¹; Wöll, C. ¹; Usachov, D. Yu.; Vyalikh, D. V.; Yashina, L. V.; Eliseev, A. A.; Pichler, T.; Grüneis, A.
¹ Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.5445/IR/110103597

Veröffentlicht am 16.03.2018

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2015
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 2045-2322 urn:nbn:de:swb:90-AAA1101035979 KITopen-ID: 110103597
HGF-Programm	43.21.03 (POF III, LK 01) Carbon Nanosystems
Erschienen in	Scientific reports
Verlag	Nature Research
Band	5
Seiten	17700
Nachgewiesen in	Scopus OpenAlex Web of Science Dimensions
Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung

Repository KITopen

Atomically precise semiconductor-graphene and hBN interfaces by Ge intercalation