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Lattice Location and Dopant Behavior of Group II and VI Elements Implanted in Silicon

Meyer, O.; Johansson, N.G.E.; Picraux, S.T.; Mayer, J.W.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 1970
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 120003322
Erschienen in Solid State Communications
Band 8
Seiten 529-31
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