Lattice Location and Dopant Behavior of Group II and VI Elements Implanted in Silicon

Meyer, O.; Johansson, N. G. E.; Picraux, S. T.; Mayer, J. W.

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seit 23.05.2018

Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	1970
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 120003322
Erschienen in	Solid State Communications
Band	8
Seiten	529-31