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Analysis of Silicon Nitride Layers on Silicon by Backscattering and Channelling Effect Measurements

Gyulai, J.; Meyer, O.; Mayer, J. W.; Rodriguez, V.


Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 1970
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 120003324
Erschienen in Applied Physics Letters
Band 16
Seiten 232-34
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