Analysis of Silicon Nitride Layers on Silicon by Backscattering and Channelling Effect Measurements

Gyulai, J.; Meyer, O.; Mayer, J. W.; Rodriguez, V.

Seitenaufrufe: 36
seit 23.05.2018

Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	1970
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 120003324
Erschienen in	Applied Physics Letters
Band	16
Seiten	232-34