Evaluation of Silicon Nitride Layers of Various Composition by Backscattering and Channelling-Effect Measurements

Gyulai, J.; Meyer, O.; Mayer, J. W.; Rodriguez, V.

Seitenaufrufe: 34
seit 04.05.2018

Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	1971
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 120003862
Erschienen in	Journal of Applied Physics
Band	42
Seiten	451-56