Evaluation of Silicon Nitride Layers of Various Composition by Backscattering and Channelling-Effect Measurements

Gyulai, J.; Meyer, O.; Mayer, J. W.; Rodriguez, V.

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	1971
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 120003862
Erschienen in	Journal of Applied Physics
Band	42
Seiten	451-56