Analysis of Silicon Nitride Layers Deposited from SiH₄ and N₂ on Silicon
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Angewandte Kernphysik (IAK) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 1971 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 120003863 |
| Erschienen in | Journal of Physics and Chemistry of Solids |
| Band | 32 |
| Seiten | 1909-15 |
| Erscheinungsvermerk | KFK-1491 (August 71) |