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Analysis of Silicon Nitride Layers Deposited from SiH₄ and N₂ on Silicon

Meyer, O.; Scherber, W.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 1971
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 120003863
Erschienen in Journal of Physics and Chemistry of Solids
Band 32
Seiten 1909-15
Erscheinungsvermerk KFK-1491 (August 71)
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