KIT | KIT-Bibliothek | Impressum

Analysis of Rb and Cs Implantations in Silicon by Channelling and Hall Effect Measurements

Meyer, O.; Mayer, J.W.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 1970
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 120003864
Erschienen in Solid State Electronics
Band 13
Seiten 1357-62
Erscheinungsvermerk KFK-1341 (Dezember 70)
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft KITopen Landing Page