Analysis of Rb and Cs Implantations in Silicon by Channelling and Hall Effect Measurements
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Angewandte Kernphysik (IAK) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 1970 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 120003864 |
| Erschienen in | Solid State Electronics |
| Band | 13 |
| Seiten | 1357-62 |
| Erscheinungsvermerk | KFK-1341 (Dezember 70) |