Lattice Location and Dopant Behavior of Group II and VI Elements Implanted in Silicon

Gyulai, J.; Meyer, O.; Pashley, R. D.; Mayer, J. W.

Seitenaufrufe: 49
seit 04.05.2018

Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	1970
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 120003903
Erschienen in	Radiation Effects
Seiten	17-24
Erscheinungsvermerk	First International Conference on Ion Implantation, Thousand Oaks, Calif., May 1970 7(1971)