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Lattice Location and Dopant Behavior of Group II and VI Elements Implanted in Silicon

Gyulai, J.; Meyer, O.; Pashley, R.D.; Mayer, J.W.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 1970
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 120003903
Erschienen in Radiation Effects
Seiten 17-24
Erscheinungsvermerk First International Conference on Ion Implantation, Thousand Oaks, Calif., May 1970 7(1971)
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