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Lattice Location and Dopant Behavior of Group II and VI Elements Implanted in Silicon

Gyulai, I.; Meyer, O.; Pashley, R.D.; Mayer, I.W.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 1971
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 120005357
Erschienen in Radiation
Band 7
Seiten 17-24
Erscheinungsvermerk effects
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