Lattice Location and Dopant Behavior of Group II and VI Elements Implanted in Silicon
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Angewandte Kernphysik (IAK) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 1971 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 120005357 |
| Erschienen in | Radiation |
| Band | 7 |
| Seiten | 17-24 |
| Erscheinungsvermerk | effects |