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Lattice Location and Dopant Behavior of Group II and VI Elements Implanted in Silicon

Gyulai, I.; Meyer, O.; Pashley, R. D.; Mayer, I. W.


Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 1971
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 120005357
Erschienen in Radiation
Band 7
Seiten 17-24
Erscheinungsvermerk effects
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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