KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

Channelling effect measurements of ⁴He-induced damage in V₃Si single crystals

Meyer, O.; Seeber, B.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 1978
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 120010710
Erschienen in Solid State Communications
Band 22
Seiten 603-07
Erscheinungsvermerk (1977) In: KfK-2659 (Maerz 78)
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page