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Computer simulation of channelling measurements in He-irradiated V₃Si single crystals

Kaufmann, R.; Meyer, O.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 1979
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 120013848
Erschienen in Radiation Effects
Band 40
Seiten 161-66
Erscheinungsvermerk Sonderdruck in KfK-2859 (Oktober 79)
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