Improvement of lattice site location of Ga implanted into Al after pulsed electron beam annealing
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Angewandte Kernphysik (IAK) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 1980 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 120014886 |
| Erschienen in | Applied Physics Letters |
| Band | 37 |
| Seiten | 298-300 |
| Erscheinungsvermerk | Sonderdruck in KfK-3096 (Dezember 80) |