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Pulsed electron-beam annealing of high-dose arsenic implanted silicon

Turos, A.; Geerk, J.


Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 1980
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 120015073
Erschienen in Applied Physics
Band 22
Seiten 385-88
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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