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Pulsed electron-beam annealing of high-dose arsenic implanted silicon
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Zugehörige Institution(en) am KIT
Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp
Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr
1980
Sprache
Englisch
Identifikator
KITopen-ID: 120015073
Erschienen in
Applied Physics
Band
22
Seiten
385-88
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