The influence of hydrogen gas on the characteristics of amorphous silicon deposited by rf sputtering

Lue, J. T.; Meyer, O.; Lombaard, J.; Wang, R. H.

Seitenaufrufe: 20
seit 08.05.2018

Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	1982
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 120017894
Erschienen in	Solid State Electronics
Band	25
Seiten	1011-16