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The influence of hydrogen gas on the characteristics of amorphous silicon deposited by rf sputtering

Lue, J.T.; Meyer, O.; Lombaard, J.; Wang, R.H.



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seit 08.05.2018
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Kernphysik (IAK)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 1982
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 120017894
Erschienen in Solid State Electronics
Band 25
Seiten 1011-16
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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