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Diffusion of chromium in silicon during a Sirtl etching process at room temperature

Lue, J. T.; Meyer, O.


Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 1983
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 120018564
Erschienen in Journal of Applied Physics
Band 54
Seiten 1148-50
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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