Characterization of Ga-doped solid phase-MBE silicon
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 1986 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 120023115 |
| Erschienen in | Journal of Crystal Growth |
| Band | 73 |
| Seiten | 482-86 |
| Erscheinungsvermerk | (1985) |