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Submicron highly doped Si layers grown by LPVPE

Vescan, L.; Beneking, H.; Meyer, O.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 1986
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 120023319
Erschienen in Journal of Crystal Growth
Band 76
Seiten 63-68
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