Submicron highly doped Si layers grown by LPVPE

Vescan, L.; Beneking, H.; Meyer, O.

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	1986
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 120023319
Erschienen in	Journal of Crystal Growth
Band	76
Seiten	63-68