Model of Si-SiO₂-interfaces based on ARXPS measurements
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Kernphysik (IK) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 1988 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 120025806 |
| Erschienen in | Journal of the Electrochemical Society |
| Erscheinungsvermerk | Meeting of the Electrochemical Society, Atlanta, Ga., May 15-20, 1988 Extended Abstracts, Vol. 88-1 S.351, 135(1988) S.136C (Abstract) Journal of Materials Research, 3(1988) S.506-13 |