Identifying and quantifying point defects in semiconductors using x-ray-absorption spectroscopy: Si-doped GaAs

Schuppler, S.; Adler, D. L.; Pfeiffer, L. N.; West, K. W.; Chaban, E. E.; Citrin, P. H.

Seitenaufrufe: 13
seit 07.05.2019

Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	1995
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 120038763
HGF-Programm	34.01.01 (Vor POF, LK 01)
Erschienen in	Physical Review B
Band	51
Seiten	10527-38