KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

Identifying and quantifying point defects in semiconductors using x-ray-absorption spectroscopy: Si-doped GaAs

Schuppler, S.; Adler, D.L.; Pfeiffer, L.N.; West, K.W.; Chaban, E.E.; Citrin, P.H.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nukleare Festkörperphysik (INFP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 1995
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 120038763
HGF-Programm 34.01.01 (Vor POF, LK 01)
Erschienen in Physical Review B
Band 51
Seiten 10527-38
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page