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Tunneling properties of Al doped MgB₂ thin film junctions

Zaitsev, A.G.; Schneider, R.; Geerk, J.

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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1088/1742-6596/234/4/042039
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Festkörperphysik (IFP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2010
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 120081650
HGF-Programm 43.11.01 (POF II, LK 01)
Erschienen in Journal of Physics: Conference Series
Band 234
Seiten 042039/1-6
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