Temperature tolerance study of high performance electrochemically gated SnO₂ nanowire field-effect transistors
Basr, B.; Zhao-Karger, Z. 1; Wang, D.
1; Kruk, R. 1; Hahn, H. 1,2; Dasgupta, S. 1
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
1; Kruk, R. 1; Hahn, H. 1,2; Dasgupta, S. 11 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2013 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 2050-7526, 2050-7534 KITopen-ID: 120093585 |
| HGF-Programm | 43.16.02 (POF II, LK 02) KNMF laboratory for microscopy a.spect. |
| Erschienen in | Journal of materials chemistry / C |
| Verlag | Royal Society of Chemistry (RSC) |
| Band | 1 |
| Seiten | 2534-2539 |
| Nachgewiesen in | Scopus Web of Science Dimensions |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung |