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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1039/c3tc00061c
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Zitationen: 9
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Temperature tolerance study of high performance electrochemically gated SnO₂ nanowire field-effect transistors

Basr, B.; Zhao-Karger, Z.; Wang, D.; Kruk, R.; Hahn, H.; Dasgupta, S.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2013
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2050-7526, 2050-7534
KITopen ID: 120093585
HGF-Programm 43.16.02; LK 02
Erschienen in Journal of materials chemistry / C
Band 1
Seiten 2534-2539
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