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Temperature tolerance study of high performance electrochemically gated SnO₂ nanowire field-effect transistors

Basr, B.; Zhao-Karger, Z. ORCID iD icon 1; Wang, D. ORCID iD icon 1; Kruk, R. 1; Hahn, H. 1,2; Dasgupta, S. 1
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2013
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2050-7526, 2050-7534
KITopen-ID: 120093585
HGF-Programm 43.16.02 (POF II, LK 02) KNMF laboratory for microscopy a.spect.
Erschienen in Journal of materials chemistry / C
Verlag Royal Society of Chemistry (RSC)
Band 1
Seiten 2534-2539
Nachgewiesen in Web of Science
Scopus
Dimensions
OpenAlex
Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung Ziel 7 – Bezahlbare und saubere Energie

Originalveröffentlichung
DOI: 10.1039/c3tc00061c
Scopus
Zitationen: 15
Web of Science
Zitationen: 17
Dimensions
Zitationen: 17
Seitenaufrufe: 106
seit 07.05.2018
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