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Temperature tolerance study of high performance electrochemically gated SnO₂ nanowire field-effect transistors

Basr, B.; Zhao-Karger, Z. 1; Wang, D. ORCID iD icon 1; Kruk, R. 1; Hahn, H. 1,2; Dasgupta, S. 1
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1039/c3tc00061c
Scopus
Zitationen: 14
Web of Science
Zitationen: 15
Dimensions
Zitationen: 16
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2013
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2050-7526, 2050-7534
KITopen-ID: 120093585
HGF-Programm 43.16.02 (POF II, LK 02) KNMF laboratory for microscopy a.spect.
Erschienen in Journal of materials chemistry / C
Verlag Royal Society of Chemistry (RSC)
Band 1
Seiten 2534-2539
Nachgewiesen in Web of Science
Dimensions
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