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Temperature tolerance study of high performance electrochemically gated SnO₂ nanowire field-effect transistors

Basr, B.; Zhao-Karger, Z.; Wang, D.; Kruk, R.; Hahn, H.; Dasgupta, S.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1039/c3tc00061c
Scopus
Zitationen: 11
Web of Science
Zitationen: 13
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2013
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2050-7526, 2050-7534
KITopen-ID: 120093585
HGF-Programm 43.16.02 (POF II, LK 02)
Erschienen in Journal of materials chemistry / C
Band 1
Seiten 2534-2539
Nachgewiesen in Scopus
Web of Science
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