Photoinduzierte Erzeugung von Ladungsträgern in epitaktischen MOF-Dünnschichten: hohe Leistung aufgrund einer indirekten elektronischen Bandlücke?
Liu, J.; Zhou, W.; Liu, J.; Howard, I.; Kilibarda, G.; Schlabach, S.
; Coupry, D.; Addicoat, M.; Yoneda, S.; Tsutsui, Y.; Sakurai, T.; Seki, S.; Wang, Z.
; Lindemann, P.; Redel, E.; Heine, T.; Wöll, C.
; Coupry, D.; Addicoat, M.; Yoneda, S.; Tsutsui, Y.; Sakurai, T.; Seki, S.; Wang, Z.
; Lindemann, P.; Redel, E.; Heine, T.; Wöll, C.| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG) Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT) Institut für Angewandte Materialien – Werkstoffkunde (IAM-WK) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2015 |
| Sprache | Deutsch |
| Identifikator | ISSN: 0044-8249, 1521-3757 KITopen-ID: 120102395 |
| HGF-Programm | 34.13.01 (POF III, LK 01) Material f.therm.,mechan.u.Umweltbelast. |
| Erschienen in | Angewandte Chemie |
| Verlag | John Wiley and Sons |
| Band | 127 |
| Seiten | 7549-7553 |
| Nachgewiesen in | Dimensions |