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Photoinduzierte Erzeugung von Ladungsträgern in epitaktischen MOF-Dünnschichten: hohe Leistung aufgrund einer indirekten elektronischen Bandlücke?

Liu, J.; Zhou, W.; Liu, J.; Howard, I.; Kilibarda, G.; Schlabach, S.; Coupry, D.; Addicoat, M.; Yoneda, S.; Tsutsui, Y.; Sakurai, T.; Seki, S.; Wang, Z.; Lindemann, P.; Redel, E.; Heine, T.; Wöll, C.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/ange.201501862
Dimensions
Zitationen: 27
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien - Werkstoffkunde (IAM-WK)
Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG)
Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2015
Sprache Deutsch
Identifikator ISSN: 0044-8249, 1521-3757
KITopen-ID: 120102395
HGF-Programm 34.13.01 (POF III, LK 01) Material f.therm.,mechan.u.Umweltbelast.
Erschienen in Angewandte Chemie
Verlag Wiley
Band 127
Seiten 7549-7553
Nachgewiesen in Dimensions
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