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Chemical vapor deposition of silicon carbide at various temperatures and surface area / volume ratios

Zhang, Wei-Gang; Huettinger, Klaus J.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Chemische Technik (Inst. f. Chem. Tech.)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2002
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1155-4339
KITopen-ID: 13492002
Erschienen in Journal de physique IV
Verlag EDP Sciences
Band 11
Heft 3
Seiten 55-62
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