Chemical vapor deposition of silicon carbide at various temperatures and surface area / volume ratios
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Fakultät für Chemie und Biowissenschaften – Institut für Chemische Technik (Inst. f. Chem. Tech.) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2002 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 1155-4339 KITopen-ID: 13492002 |
| Erschienen in | Journal de physique IV |
| Verlag | EDP Sciences |
| Band | 11 |
| Heft | 3 |
| Seiten | 55-62 |