KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

Chemical vapor deposition of SiC from methyltrichlorosilane. Part I: Deposition rates. Part II: Composition of the gas phase and the deposit

Zhang, Wei-Gang; Huettinger, Klaus J.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Chemische Technik (Inst. f. Chem. Tech.)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2002
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0948-1907
KITopen-ID: 13502002
Erschienen in Chemical vapor deposition
Band 7
Heft 4
Seiten 167-172
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page