Chemical vapor deposition of SiC from methyltrichlorosilane. Part I: Deposition rates. Part II: Composition of the gas phase and the deposit
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Fakultät für Chemie und Biowissenschaften – Institut für Chemische Technik (Inst. f. Chem. Tech.) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2002 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0948-1907 KITopen-ID: 13502002 |
| Erschienen in | Chemical vapor deposition |
| Verlag | Wiley-VCH Verlag |
| Band | 7 |
| Heft | 4 |
| Seiten | 167-172 |