Defects in a-Si and a-Si:H and their influence on the electronic structure and localization character of states
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Fakultät für Chemie – Institut für Physikalische Chemie und Elektrochemie (Inst. f. Physikal. Chemie u. Elektrochem.) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 1998 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 152798 |
| Erscheinungsvermerk | Phys. rev. B 58 (1998) S. 4459. |