Susceptibility of local magnetic moments in phosphorus-doped silicon near the metal-insulator transition
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Physikalisches Institut (PHI) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 1997 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 168697 |
| Erscheinungsvermerk | Europhys. let. 40 (1997) S. 661-666. |
| Bemerkung zur Veröffentlichung | Sonderdrucknummer 98S92 |