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Effect of thermal oxidation on indentation and scatching of single-crystal silicon carbide on microscale

Poehlmann, Klaus; Bhushan, Bharat; Zum Gahr, Karl-Heinz



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Werkstoffkunde II (IWK II)
Institut für Keramik im Maschinenbau (IKM)
Institut für Materialforschung (IMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2000
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 16922000
HGF-Programm 42; LK 01
Erschienen in Wear
Band 237
Seiten 116-28
Erscheinungsvermerk Wear 237 (2000) S. 116-128.
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