KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

Effect of thermal oxidation on indentation and scatching of single-crystal silicon carbide on microscale

Poehlmann, Klaus; Bhushan, Bharat; Zum Gahr, Karl-Heinz



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Keramik im Maschinenbau (IKM)
Institut für Materialforschung (IMF)
Institut für Werkstoffkunde II (IWK II)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2000
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 16922000
HGF-Programm 42 (Vor POF, LK 01)
Erschienen in Wear
Band 237
Seiten 116-28
Erscheinungsvermerk Wear 237 (2000) S. 116-128.
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page