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An X-ray topographic analysis of the crystal quality of globally available SiC wafers

Brazil, I.; McNally, P.J.; Ren, N.; O'Reilly, L.; Danilewsky, A.; Tuomi, T.O.; Lankinen, A.; Säynätjaki, A.; Simon, R.; Soloviev, S.; Rowland, L.B.; Sandvik, P.M.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Jahr 2008
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-0-87849-442-2
KITopen ID: 170074287
HGF-Programm 43.01.05; LK 01
Seiten 227-30
Erscheinungsvermerk Wright, N. [Hrsg.] Silicon Carbide and Related Materials 2006 : Proc.of the 6th European Conf.on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, GB, September 3-7, 2006 Stafa-Zuerich : Trans Tech Publ., 2007 (Materials Science Forum ; 556-557)
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