Self-diffusion in silicon between 1320K and 1660K

Mayer, H. J.; Mehrer, H.; Maier, K.; Institut fuer Theoretische und Angewandte Physik, Universitaet Stuttgart; Max-Planck-Institut fuer Metallforschung, Institut fuer Physik, Stuttgart

Self-diffusion in silicon between 1320K and 1660K

Mayer, H. J.; Mehrer, H.; Maier, K.; Institut fuer Theoretische und Angewandte Physik, Universitaet Stuttgart [Hrsg.]; Max-Planck-Institut fuer Metallforschung, Institut fuer Physik, Stuttgart [Hrsg.]

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Zugehörige Institution(en) am KIT	GAST (GAST)
Publikationstyp	Proceedingsbeitrag
Publikationsjahr	1978
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 173000734
Seiten	186-93
Erscheinungsvermerk	Urli, N.B., Corbett, J.W.[Hrsg.]: Radiation Effects in Semiconductors 1976. Internat.Conf.Invited and contrib.papers. Dubrovnik, September 6-9, 1976. Bristol[usw.]: Inst.of Physics 1977. (The Institute of Physics. Conference Series. Nr.31)

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