DC and high-frequency properties of Insub(0.35)Gasub(0.65)As/GaAs strained-layer MQW laser diodes with p-doping

Esquivias, I.; Weisser, Stefan; Schönfelder, Alexander; Ralston, J. D.; Tasker, P. J.; Larkins, E. C.; Fleissner, F.; Benz, W.; Rosenzweig, J.

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seit 04.12.2018

Zugehörige Institution(en) am KIT	Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik – Institut für Hochfrequenztechnik und Quantenelektronik (IHQ)
Publikationstyp	Buchaufsatz
Publikationsjahr	1994
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 183494
Erscheinungsvermerk	In: Gallium arsenide and related compounds 1993. Ed.: H.S. Rupprecht. Bristol 1994. S. 265-270. (Conference series. Institute of Physics. 136.)