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DC and high-frequency properties of Insub(0.35)Gasub(0.65)As/GaAs strained-layer MQW laser diodes with p-doping

Esquivias, I.; Weisser, Stefan; Schönfelder, Alexander; Ralston, J.D.; Tasker, P.J.; Larkins, E.C.; Fleissner, F.; Benz, W.; Rosenzweig, J.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Hochfrequenztechnik und Quantenelektronik (IHQ)
Publikationstyp Buchaufsatz
Jahr 1994
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 183494
Erscheinungsvermerk In: Gallium arsenide and related compounds 1993. Ed.: H.S. Rupprecht. Bristol 1994. S. 265-270. (Conference series. Institute of Physics. 136.)
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