MBE growth of GaAs-based pseudomorphic lasers: key trade-offs between the InGaAs MQWs and the AlGaAs cladding
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik – Institut für Hochfrequenztechnik und Quantenelektronik (IHQ) |
| Publikationstyp | Buchaufsatz |
| Publikationsjahr | 1994 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 183594 |
| Erscheinungsvermerk | In: LEOS Summer Topical Meeting Digest on Optoelectronic Materials Growth and Processing, Lake Tahoe 1994. S. 12-13. |