Electronic transport processes in heavily doped uncompensated and compensated silicon as probed by the thermoelectric power

Liu, Xiao; Sidorenko, Anatoli; Wagner, Sibylle; Ziegler, Patrick; Loehneysen, Hilbert v.

Seitenaufrufe: 14
seit 02.05.2018

Zugehörige Institution(en) am KIT	Physikalisches Institut (PHI)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	1996
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 191996
Erscheinungsvermerk	Phys. rev. let. 77 (1996) S. 3395-3398.
Bemerkung zur Veröffentlichung	Sonderdrucknummer 97S110