Localized versus itinerant electrons at the metal-insulator transition in Si:P
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Physikalisches Institut (PHI) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 1989 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 193489 |
| Erscheinungsvermerk | Phys. rev. let. 63 (1989) S. 648-651. |