Critical behavior of the conductivity of Si:P at the metal-insulator transition under uniaxial stress
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Physikalisches Institut (PHI) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 1999 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 210299 |
| Erscheinungsvermerk | Phys. rev. let. 83 (1999) S. 3005-3008. |
| Bemerkung zur Veröffentlichung | Sonderdrucknummer 2000S95 |